408LP3E 参数 Datasheet PDF下载

型号：	408LP3E
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内容描述：	砷化镓的InGaP HBT MMIC 1瓦的功放， 5.1 - 5.9 GHz的 [GaAs InGaP HBT MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER, 5.1 - 5.9 GHz]
分类和应用：	功率放大器
文件页数/大小：	8 页 / 352 K
品牌：	HITTITE [ HITTITE MICROWAVE CORPORATION ]

HMC408LP3

408LP3E

v03.0705

砷化镓的InGaP HBT MMIC 1瓦

功放， 5.1 - 5.9 GHz的

宽带增益&回波损耗

响应（ dB）的

-5

-10

-15

-20

-25

频率（GHz ）

S21

S11

S22

增益与温度

4.8

放大器 - SMT

5 - 159

增益（dB ）

+25 C

+85 C

-40 C

5.2

5.4

5.6

5.8

6.2

频率（GHz ）

输入回波损耗随温度的变化

输出回波损耗与温度的关系*

+25 C

+85 C

-40 C

-4

回波损耗（分贝）

5.8

6.2

-5

-8

-10

-12

-15

+25 C

+85 C

-40 C

-16

-20

4.8

5.2

5.4

5.6

-20

4.8

5.2

5.4

5.6

5.8

6.2

频率（GHz ）

P1dB为与温度的关系

P1dB的（ DBM）

PSAT与温度的关系

PSAT （ DBM）

4.8

+25 C

+85 C

-40 C

4.8

+25 C

+85 C

-40 C

5.2

5.4

5.6

5.8

6.2

5.2

5.4

5.6

5.8

6.2

频率（GHz ）

5.9 GHz的 - * 5.7输出匹配优化。

对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：

20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373

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