HMC332
/
332E
v01.0705
砷化镓MMIC混频器瓦特/综合
LO放大器， 2.0 - 2.8 GHz的
典型应用
该HMC332 / HMC332E是理想的：
• MMDS
特点
集成LO放大器尔W / PDISS ： < 20毫瓦
变频损耗/噪声系数： 8.0分贝
低LO驱动电平： 0 dBm的
输入IP3 ： +10 dBm的
单正电源： 3V至5V
7
调音台 - SMT
- PCMCIA
• WirelessLAN
• WCDMA微基站
工作原理图
概述
该HMC332 & HMC332E是单平衡混频器
芯片集成了LO放大器。该转换器IC
可以作为上变频器和下变频器操作
在2.0 GHz和2.8 GHz的。通过集成的LO
放大器，混频器，需要的只是一个LO驱动电平
为0 dBm ，并且需要从单一阳性仅6毫安
+ 3V轨道。该混频器具有8分贝转换损耗，同比
0 dBm的输入P1dB和输入三阶截取
点+10 dBm的。
电气连接特定的阳离子，
T
A
= +25° C
参数
分钟。
频率范围， RF & LO
频率范围，中频
转换损耗
噪声系数（ SSB ）
LO至RF隔离
LO至IF隔离
RF至IF隔离
IP3 （输入）
1 dB压缩（输入）
电源电流（ IDD）
*除另有说明外，所有的测量值进行的下变频器，中频= 100兆赫。
11
2
11
4
-4
IF = 100 MHz的
LO = 0 dBm的& VDD = 3V +
典型值。
2.0 - 2.8
DC - 1.0
8
8
20
5
17
10
0
6
10
10
马克斯。
GHz的
GHz的
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
mA
单位
7 - 196
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