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277MS8E 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 277MS8E
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内容描述: 砷化镓MMIC SMT单的GaAs MMIC SMT单 [GaAs MMIC SMT SINGLE GaAs MMIC SMT SINGLE]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 253 K
品牌: HITTITE [ HITTITE MICROWAVE CORPORATION ]
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HMC277MS8
/
277MS8E
v00.0906
砷化镓MMIC SMT单
平衡混频器, 0.7 - 1.2 GHz的
特点
被动式拓扑
LO / RF隔离: 26分贝
输入IP3 : +21 dBm的
低转换损耗: 9分贝
符合RoHS MSOP- 8封装
典型应用
该HMC277MS8 / HMC277MS8E是理想的:
•蜂窝/ 3G基础设施
•基站&中继器
• GSM,CDMA & WCDMA
8
调音台 - SMT
•认购&便携式电脑
工作原理图
概述
HMC277MS8
&放大器;
HMC277MS8E
8通用单平衡混频器
引脚塑料表面贴装微型小外形
封装( MSOP ) 。这种被动的MMIC混频器
的砷化镓肖特基二极管和一个新颖的平面构成
在芯片上变压器平衡 - 不平衡变换器。该HMC277MS8 ( E)
无需外部匹配元件,是理想
对于上变频器和下变频器applications.The
RF端口通过在MMIC平衡不平衡转换器,而所述LO平衡
端口直接连接到二极管。本产品是
引脚对引脚与HMC272MS8 ( E)兼容这
工作在1.7〜 3.0 GHz的。
电气连接特定的阳离子,
T
A
= +25° C,
LO = +13 dBm时, IF = 100兆赫*
参数
频率范围, RF & LO
频率范围,中频
转换损耗
噪声系数( SSB )
LO至RF隔离
LO至IF隔离
IP3 (输入)
1 dB压缩(输入)
20
8
17
9
分钟。
典型值。
0.7 - 1.2
DC - 0.3
9
9
26
12
21
12
10.5
10.5
马克斯。
单位
GHz的
GHz的
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
*除另有说明外,所有的测量值进行,与低侧LO一个下变频器。
8 - 152
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
20阿尔法路,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
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