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2SC1906RF 参数 Datasheet PDF下载

2SC1906RF图片预览
型号: 2SC1906RF
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内容描述: [RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-92, TO-92, 3 PIN]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 8 页 / 47 K
品牌: HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
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2SC1906
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
发射极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
E
P
C
Tj
TSTG
评级
30
19
2
50
–50
300
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
电气特性
( TA = 25°C )
集电极基极击穿
电压
符号
V
( BR ) CBO
30
19
2
40
600
典型值
1000
1.0
0.2
10
33
18
最大
0.5
2.0
1.0
25
兆赫
pF
V
ps
dB
dB
单位
V
V
V
µA
测试条件
I
C
= 10
µA,
I
E
= 0
I
C
= 3毫安,R
BE
=
I
E
= 10
µA,
I
C
= 0
V
CB
= 10 V,I
E
= 0
V
CE
= 10 V,I
C
= 10毫安
V
CE
= 10 V,I
C
= 10毫安
V
CB
= 10 V,I
E
= 0中,f = 1 MHz的
I
C
= 20 mA时,我
B
= 4毫安
V
CB
= 10 V,I
C
= 10毫安,
F = 31.8兆赫
V
CE
= 10 V,
I
C
= 5毫安
V
CE
= 10 V,
I
C
= 5毫安
F = 45 MHz的
F = 200 MHz的
集电极到发射极击穿V
( BR ) CEO
电压
发射器基极击穿
电压
收藏家Cuto FF电流
直流电流传输比
增益带宽积
集电极输出电容
集电极到发射极饱和
电压
基本时间常数
功率增益
V
( BR ) EBO
I
CBO
h
FE
f
T
COB
V
CE ( SAT )
r
bb’
PG
C
C
2