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2SC1881 参数 Datasheet PDF下载

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型号：	2SC1881
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内容描述：	硅NPN三重扩散 [Silicon NPN Triple Diffused]
分类和应用：
文件页数/大小：	6 页 / 38 K
品牌：	HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]

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2SC1881(K)

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

符号

民

60

7

—

—

1000

500

集电极到发射极饱和

电压

启动时间

关闭时间

注意：

1.脉冲测试。

V

CE （ SAT ）

t

on

t

关闭

—

—

—

典型值

—

—

—

—

—

—

—

1

5

最大

—

—

0.2

0.4

—

—

1.2

—

—

V

µs

µs

单位

V

V

mA

mA

测试条件

I

C

= 50毫安，R

BE

=

∞

I

E

= 50 mA时，我

C

= 0

V

CB

= 60 V，I

E

= 0

V

CE

= 30 V ，R

BE

=

∞

V

CE

= 1.5 V

I

C

= 1.5 A*

1

I

C

= 2.5 A*

1

I

C

= 2.5 A，I

B

能力= 20 mA *

1

V

CC

= 11 V，I

C

= 2 A,

I

B1

= –I

B2

= 8毫安

集电极到发射极击穿V

（ BR ） CEO

电压

发射器基极击穿

电压

收藏家Cuto FF电流

V

（ BR ） EBO

I

CBO

I

首席执行官

直流电流传输比

h

FE

安全工作区

最大集电极耗散曲线

30

集电极耗散功率P

C

(W)

集电极电流I

C

(A)

10

i

C

（峰值）

5

I

C

最大

2

s

0m

=1

pw

on

RATI

OPE C）

DC = 25

°

(T

C

20

1.0

0.5

0.2

0.1

10

TA = 25°C

1次脉冲

0

50

100

案例温度T

C

(°C)

150

0.05

1

2

5

10

20

50

100

集电极到发射极电压V

CE

(V)

2

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