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2SC1345(K)ERF 参数 Datasheet PDF下载

2SC1345(K)ERF图片预览
型号: 2SC1345(K)ERF
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内容描述: [暂无描述]
分类和应用: 晶体小信号双极晶体管
文件页数/大小: 9 页 / 45 K
品牌: HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
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2SC1345 ( K)
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
Tj
TSTG
评级
55
50
5
100
200
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
电气特性
( TA = 25°C )
集电极基极击穿
电压
符号
V
( BR ) CBO
55
50
5
250
注意:
D
250至500
典型值
2.3
230
最大
0.5
0.5
1200
0.75
0.5
3.5
8
1
V
V
pF
兆赫
dB
dB
单位
V
V
V
µA
µA
测试条件
I
C
= 10
µA,
I
E
= 0
I
C
= 1毫安,R
BE
=
I
E
= 10
µA,
I
C
= 0
V
CB
= 18 V,I
E
= 0
V
EB
= 2 V,I
C
= 0
V
CE
= 12 V,I
C
= 2毫安
V
CE
= 12 V,I
C
= 2毫安
I
C
= 10 mA时,我
B
= 1毫安
V
CB
= 10 V,I
E
= 0中,f = 1 MHz的
V
CE
= 12 V,I
C
= 2毫安
V
CE
= 6 V,I
C
= 0.1毫安,
F = 10赫兹,R
g
= 10 kΩ
V
CE
= 6 V,I
C
= 0.1毫安,
F = 1千赫,R
g
= 10 kΩ
集电极到发射极击穿V
( BR ) CEO
电压
发射器基极击穿
电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流传输比
基地发射极电压
集电极到发射极饱和
电压
集电极输出电容
增益带宽积
噪声系数
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
*
1
V
BE
V
CE ( SAT )
COB
f
T
NF
1. 2SC1345 (K)用h分组
FE
如下。
E
400至800
F
600至1200
2