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2SC1342 参数 Datasheet PDF下载

2SC1342图片预览
型号: 2SC1342
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内容描述: NPN硅外延平面 [Silicon NPN Epitaxial Planar]
分类和应用: 晶体晶体管放大器
文件页数/大小: 10 页 / 55 K
品牌: HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
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2SC1342
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
Tj
TSTG
评级
30
20
4
30
100
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
电气特性
( TA = 25°C )
集电极基极击穿
电压
符号
V
( BR ) CBO
30
20
4
35
150
13
典型值
0.8
1.1
20
320
5.5
0.9
17
最大
0.5
200
1.2
1.5
35
8.5
1.2
V
pF
ps
兆赫
dB
pF
dB
单位
V
V
V
µA
测试条件
I
C
= 10
µA,
I
E
= 0
I
C
= 1毫安,R
BE
=
I
E
= 10
µA,
I
C
= 0
V
CB
= 10 V,I
E
= 0
V
CE
= 6 V,I
C
= 1毫安
I
C
= 10 mA时,我
B
= 1毫安
V
CB
= 10 V,I
E
= 0中,f = 1 MHz的
V
CB
= 6 V,I
C
= 1毫安,
F = 31.8兆赫
V
CE
= 6 V,I
C
= 1毫安
V
CE
= 6 V,I
C
= 1毫安,
F = 100兆赫,R
g
= 50
V
CE
= 10 V,I
E
= -1毫安,
F = 1 MHz的
V
CE
= 6 V,I
C
= 1毫安,
F = 100兆赫,R
g
=
100
Ω,
R
L
= 550
Ω,
未中
集电极到发射极击穿V
( BR ) CEO
电压
发射器基极击穿
电压
收藏家Cuto FF电流
直流电流传输比
集电极到发射极饱和
电压
集电极输出电容
基本时间常数
增益带宽积
噪声系数
反向传输电容
功率增益
V
( BR ) EBO
I
CBO
h
FE
*
1
V
CE ( SAT )
COB
r
bb’
C
C
f
T
NF
CRE
PG
注意:
A
1. 2SC1342用h分组
FE
如下。
B
60至120
C
100至200
35至70
2