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    2SC1214CRF 参数 Datasheet PDF下载

    2SC1214CRF图片预览
    型号： 2SC1214CRF
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO-92(1), 3 PIN]
    分类和应用： 放大器
    文件页数/大小： 7 页 / 39 K
    品牌： HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SC1214CRF的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SC1214CRF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SC1214CRF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SC1214CRF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SC1214CRF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SC1214CRF的Datasheet PDF文件第7页  
    2SC1214
    绝对最大额定值
    （ TA = 25°C ）
    项
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    集电极电流
    集电极耗散功率
    结温
    储存温度
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    Tj
    TSTG
    评级
    50
    50
    4
    500
    600
    150
    -55到+150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mW
    °C
    °C
    电气特性
    （ TA = 25°C ）
    项
    集电极基极击穿
    电压
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    民
    50
    50
    4
    —
    60
    10
    —
    —
    典型值
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    0.2
    0.64
    最大
    —
    —
    —
    0.5
    320
    —
    0.6
    —
    V
    V
    单位
    V
    V
    V
    µA
    测试条件
    I
    C
    = 10 μA ，我
    E
    = 0
    I
    C
    = 1毫安，R
    BE
    =
    I
    E
    = 10 μA ，我
    C
    = 0
    V
    CB
    = 20 V，I
    E
    = 0
    V
    CE
    = 3 V，I
    C
    = 10毫安
    V
    CE
    = 3 V，I
    C
    = 500毫安
    （脉冲测试）
    I
    C
    = 150毫安，我
    B
    = 15毫安
    （脉冲测试）
    V
    CE
    = 3 V，I
    C
    = 10毫安
    集电极到发射极击穿V
    （ BR ） CEO
    电压
    发射器基极击穿
    电压
    收藏家Cuto FF电流
    直流电流传输比
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    h
    FE
    *
    h
    FE
    集电极到发射极饱和
    电压
    基地发射极电压
    注意：
    B
    60至120
    C
    100至200
    D
    160到320
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE
    1. 2SC1214用h分组
    FE
    如下。
    见2SC1213的特性曲线。

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