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2SC1213ABRF 参数 Datasheet PDF下载

2SC1213ABRF图片预览
型号: 2SC1213ABRF
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内容描述: [Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO-92(1), 3 PIN]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 26 K
品牌: HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
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2SC1213 , 2SC1213A
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
Tj
TSTG
2SC1213
35
35
4
500
400
150
-55到+150
2SC1213A
50
50
4
500
400
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
电气特性
( TA = 25°C )
2SC1213
收藏家基地
击穿电压
集电极到发射极
击穿电压
发射器基
击穿电压
收藏家Cuto FF电流
符号最小值
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
35
35
4
60
10
典型值
0.2
0.64
最大
0.5
320
0.6
2SC1213A
50
50
4
60
10
典型值
0.2
0.64
最大
0.5
320
0.6
V
V
单位
V
V
V
µA
测试条件
I
C
= 10
µA,
I
E
= 0
I
C
= 1毫安,R
BE
=
I
E
= 10
µA,
I
C
= 0
V
CB
= 20 V,I
E
= 0
V
CE
= 3 V,I
C
= 10毫安
V
CE
= 3 V,
I
C
= 500毫安*
2
I
C
= 150毫安,
I
B
= 15毫安*
2
V
CE
= 3 V,I
C
= 10毫安
直流电流tarnsfer比H
FE
*
1
h
FE
集电极到发射极
饱和电压
V
CE ( SAT )
基极至发射极电压V
BE
注:1. 2SC1213和2SC1213A是用h分组
FE
如下。
2.脉冲测试
B
60至120
C
100至200
D
160到320
2