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2SC1213A 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SC1213A
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内容描述: NPN硅外延 [Silicon NPN Epitaxial]
分类和应用: 晶体小信号双极晶体管
文件页数/大小: 8 页 / 45 K
品牌: HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
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2SC1213A ( K)
集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
基地发射极饱和电压V
BE ( SAT )
(V)
集电极到发射极饱和
电压与集电极电流
0.32
0.28
0.24
0.20
0.16
0.12
0.08
0.04
0
10 30 100 300 1,000
0.1 0.3 1.0 3
集电极电流I
C
(MA )
I
C
= 10 I
B
基地发射极饱和电压与
集电极电流
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.1 0.2
I
C
= 10 I
B
脉冲
–25
0
25
50
°
C
5
=7
Ta
0.5 1.0 2
5 10 20 50 100 200 500
集电极电流I
C
(MA )
输入和输出电容与电压
集电极输出电容C
ob
(PF )
发射器的输入电容C
ib
(PF )
70
F = 1 MHz的
增益带宽乘积F
T
(兆赫)
60
50
C
ib
(I
C
= 0)
40
30
20
10
0
0.1
C
ob
(I
E
= 0)
280
240
200
160
120
80
40
0
增益带宽积主场迎战
集电极电流
V
CE
= 3 V
0.3
1.0
3
10
集电极基极电压V
CB
(V)
发射器基极电压V
EB
(V)
30
2
5
50 100 200
10 20
集电极电流I
C
(MA )
500
5