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2SC1212A 参数 Datasheet PDF下载

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型号：	2SC1212A
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内容描述：	NPN硅外延 [Silicon NPN Epitaxial]
分类和应用：
文件页数/大小：	5 页 / 32 K
品牌：	HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]

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2SC1212 ， 2SC1212A

电气特性

（ TA = 25°C ）

2SC1212

项

收藏家基地

击穿电压

集电极到发射极

击穿电压

发射器基

击穿电压

收藏家Cuto FF电流

符号

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） EBO

I

CBO

民

50

50

4

—

60

20

—

—

—

典型值

—

—

—

—

—

—

0.65

0.75

160

最大

—

—

—

5

200

—

1.0

1.5

—

2SC1212A

民

80

80

4

—

60

20

—

—

—

典型值

—

—

—

—

—

—

0.65

0.75

160

最大

—

—

—

5

200

—

1.0

1.5

—

V

V

兆赫

单位

V

V

V

µA

测试条件

I

C

= 1毫安，我

E

= 0

I

C

= 10毫安，R

BE

=

∞

I

E

= 1毫安，我

C

= 0

V

CB

= 50 V，I

E

= 0

V

CE

= 4 V，I

C

= 50毫安

V

CE

= 4 V，I

C

= 1 A

（脉冲测试）

V

CE

= 4 V，I

C

= 50毫安

I

C

= 1 A，I

B

= 0.1 A

（脉冲测试）

V

CE

= 4 V，I

C

= 30毫安

直流电流tarnsfer比H

FE

*

1

h

FE

基极至发射极电压V

BE

集电极到发射极

饱和电压

V

CE （ SAT ）

增益带宽乘积F

T

注意：

B

60至120

1. 2SC1212和2SC1212A是用h分组

FE

如下。

C

100至200

最大集电极耗散曲线

1.0

集电极耗散功率P

C

(W)

集电极耗散功率P

C

(W)

12

最大集电极耗散曲线

0.75

8

0.5

4

0.25

0

50

100

150

环境温度Ta （C ）

200

0

50

100

案例温度T

C

(°C)

150

2

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