2SB861 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SB861
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内容描述：	PNP硅三重扩散 [Silicon PNP Triple Diffused]
分类和应用：
文件页数/大小：	5 页 / 34 K
品牌：	HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]

2SB861

典型的输出特性

–1.0

= 25°C

集电极电流I

(A)

–0.8

典型的传输特性

–1,000

= –4 V

–500

集电极电流I

（MA ）

= 75°C

–200

–100

–50

–20

–10

= 0

–4

–8

–12

–16

–20

集电极到发射极电压V

(V)

–5

–0.4

–0.5 –0.6 –0.7 –0.8 –0.9

基极至发射极电压V

(V)

–1.0

–25

–8

–7

–6

–5

–0.6

–4

–3

–0.4

–2

–0.2

= 1毫安

直流电流传输比主场迎战

集电极电流

集电极到发射极饱和电压

CE （SAT）

(V)

500

直流电流传输比H

200

100

–10 –20

–50 –100 –200 –500–1,000

集电极电流I

（MA ）

= –4 V

= 75°C

–25

–10

–5

集电极到发射极饱和

电压与集电极电流

= 10 I

–2

–1.0

–0.5

= 75°C

–25

–0.2

–0.1

–10

–20

–50 –100 –200 –500–1,000

集电极电流I

（MA ）

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