2SB859 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SB859
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内容描述：	PNP硅三重扩散 [Silicon PNP Triple Diffused]
分类和应用：	晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
文件页数/大小：	5 页 / 35 K
品牌：	HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]

2SB859

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

符号

民

–80

–5

—

典型值

—

最大

—

–0.1

200

—

–1.5

–2

—

兆赫

单位

测试条件

= -50毫安，R

∞

= –10

µA,

= 0

= -80 V，I

= 0

= -5 V，I

= –1 A*

= -5 V，I

= –0.1 A*

= -5 V，I

= –1 A*

= -2 A，I

= –0.2 A*

= -5 V，I

= –0.5 A*

= -20 V，I

= 0中，f = 1 MHz的

集电极到发射极击穿V

（ BR ） CEO

电压

发射器基极击穿

电压

收藏家Cuto FF电流

直流电流传输比

（ BR ） EBO

CBO

FE1

FE2

基地发射极电压

集电极到发射极饱和

电压

增益带宽积

集电极输出电容

CE （ SAT ）

COB

注：1. 2SB859为h分组

FE1

如下。

2.脉冲测试

60至120

100至200

最大集电极耗散

曲线

集电极耗散功率P

(W)

–5

安全工作区

（ -10 V ， -4 A ）

IC MAX（连续）

–2

TIO

= 25°C

（ -33 V， -12 ）

–1.0

–0.5

集电极电流I

(A)

–0.2

–0.1

（ -80 V， -0.06 A）

–0.05

–1

100

案例温度T

(°C)

150

–2

–5 –10 –20

–50 –100

集电极到发射极电压V

(V)

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