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2SB791K 参数 Datasheet PDF下载

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型号：	2SB791K
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内容描述：	PNP硅外延 [Silicon PNP Epitaxial]
分类和应用：	晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
文件页数/大小：	6 页 / 39 K
品牌：	HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]

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2SB791(K)

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

符号

民

–120

–7

—

—

1000

—

—

—

—

—

—

—

典型值

—

—

—

—

—

—

—

—

—

0.5

1.6

1.5

最大

—

—

–100

–10

20000

–1.5

–3.0

–2.0

–3.5

—

—

—

V

V

V

V

µs

µs

µs

单位

V

V

µA

µA

测试条件

I

C

= -25毫安，R

BE

=

∞

I

E

= -50毫安，我

C

= 0

V

CB

= -120 V，I

E

= 0

V

CE

= -100 V ，R

BE

=

∞

V

CE

= -3 V，I

C

= –4 A*

1

I

C

= -4 A，I

B

= -8毫安*

1

I

C

= -8 A，I

B

= -80毫安*

1

I

C

= -4 A，I

B

= -8毫安*

1

I

C

= -8 A，I

B

= -80毫安*

1

I

C

= -4 A，I

B1

= I

B2

= -8毫安

集电极到发射极击穿V

（ BR ） CEO

电压

发射器基极击穿

电压

收藏家Cuto FF电流

V

（ BR ） EBO

I

CBO

I

首席执行官

直流电流传输比

集电极到发射极饱和

电压

基地发射极饱和

电压

启动时间

贮存时间

下降时间

注意：

1.脉冲测试

h

FE

V

CE(sat)(1)

V

CE(sat)(2)

V

BE(sat)(1)

V

BE(sat)(2)

t

on

t

英镑

t

f

最大集电极耗散

曲线

60

集电极耗散功率P

C

(W)

–30

i

C（峰值）

–10

安全工作区

1

µs

10

µ

PW

集电极电流I

C

(A)

40

–3

–1.0

–0.3

–0.1

DC

I

CMAX

（连续）

Op

s

1m

=1

er

s

at

0m

s

=2

io

n

(T

C

20

5

°

C

TA = 25°C

1次脉冲

)

0

50

100

案例温度T

C

(°C)

150

–0.03

–1

–3

–10 –30 –100 –300 –1,000

集电极到发射极电压V

CE

(V)

2

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