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    2SB739 参数 Datasheet PDF下载

    2SB739图片预览
    型号： 2SB739
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    内容描述： PNP硅外延 [Silicon PNP Epitaxial]
    分类和应用： 晶体小信号双极晶体管
    文件页数/大小： 6 页 / 34 K
    品牌： HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SB739的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SB739的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SB739的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SB739的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SB739的Datasheet PDF文件第6页  
    2SB738 ， 2SB739
    最大集电极耗散曲线
    1.2
    集电极耗散功率P
    C
    (W)
    集电极电流I
    C
    （MA ）
    –100
    典型的输出特性（ 1）
    .35
    –0
    –0
    .3
    –0.
    25
    –80
    –60
    –40
    0.8
    –0.2
    –0.1
    5
    –0.1
    0.4
    –20
    -0.05毫安
    I
    B
    = 0
    0
    50
    100
    环境温度Ta （C ）
    150
    0
    –2
    –4
    –6
    –8
    –10
    集电极到发射极电压V
    CE
    (V)
    典型的输出特性（ 2）
    –2.0
    –25 –20
    –15
    –1,000
    集电极电流I
    C
    （MA ）
    –300
    –100
    典型的传输特性
    集电极电流I
    C
    (A)
    –1.6
    –1.2
    –10
    V
    CE
    = –2 V
    脉冲
    TA = 75℃
    –30
    25
    –10
    –3
    –1
    –25
    ± 5毫安
    –0.8
    P
    C
    = 0.
    9W
    –0.4
    0
    –0.4
    –0.8
    –1.2
    –1.6
    –2.0
    集电极到发射极电压V
    CE
    (V)
    0
    –0.2
    –0.4
    –0.6
    –0.8
    –1.0
    基极至发射极电压V
    BE
    (V)
    3

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