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2SB738-C 参数 Datasheet PDF下载

2SB738-C图片预览
型号: 2SB738-C
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内容描述: [SMALL SIGNAL TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体小信号双极晶体管
文件页数/大小: 6 页 / 34 K
品牌: HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
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2SB738 , 2SB739
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
Tj
TSTG
2SB738
–20
–16
–6
–2
0.9
150
-55到+150
2SB739
–20
–20
–6
–2
0.9
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
W
°C
°C
电气特性
( TA = 25°C )
2SB738
收藏家基地
击穿电压
集电极到发射极
击穿电压
发射器基极击穿
电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流传输比
集电极到发射极
饱和电压
增益带宽积
符号最小值
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
*
1
V
CE ( SAT )
f
T
–20
–16
–6
100
典型值
150
50
2SB739
最大最小
–2
–20
–20
–6
典型值
150
50
最大单位测试条件
–2
V
V
V
µA
I
C
= –10
µA,
I
E
= 0
I
C
= -1毫安,R
BE
=
I
E
= –10
µA,
I
C
= 0
V
CB
= -16 V,I
E
= 0
V
EB
= -6 V,I
C
= 0
V
CE
= -2 V,I
C
= –0.1 A
I
C
= -1时,我
B
= –0.1 A
–0.2 —
320
100
–0.2
µA
320
–0.3 V
–0.3 —
兆赫V
CE
= -2 V,I
C
= -10毫安
pF
V
CB
= -10 V,I
E
= 0,
F = 1 MHz的
集电极输出电容科夫
注意:
B
100至200
1. 2SB738和2SB739是用h分组
FE
如下。
C
160到320
2