2SB715 ， 2SB716 ， 2SB716A
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
Tj
TSTG
2SB715
–100
–100
–5
–50
750
150
-55到+150
2SB716
–120
–120
–5
–50
750
150
-55到+150
2SB716A
–140
–140
–5
–50
750
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
电气特性
（ TA = 25°C ）
2SB715
项
收藏家基地
击穿电压
集电极到发射极
击穿电压
收藏家Cuto FF电流
符号最小值
典型值
最大
—
—
–0.5
—
800
—
2SB716
民
TYP MAX
—
—
—
–0.5
800
—
2SB716A
民
TYP MAX
—
—
—
–0.5
500
—
–0.75 V
–0.2
—
—
V
单位测试条件
V
V
µA
µA
I
C
= –10
µA,
I
E
= 0
I
C
= -1毫安，
R
BE
=
∞
V
CB
= -80 V，I
E
= 0
V
CB
= -100 V，I
E
= 0
V
CE
= –12 V,
I
C
= -2毫安
V
CE
= –12 V,
I
C
= -10毫安
V
CE
= –12 V,
I
C
= -2毫安
I
C
= -10毫安，
I
B
= -1毫安
V
（ BR ） CBO
–100 —
V
（ BR ） CEO
–100 —
I
CBO
—
—
—
—
—
—
—
—
150
1.8
–120 —
–120 —
—
—
250
125
—
—
—
—
—
—
150
1.8
–140 —
–140 —
—
—
250
125
—
—
—
—
—
—
150
1.8
直流电流传输比H
FE1
*
1
h
FE2
基地发射极电压
集电极到发射极
饱和电压
V
BE
V
CE （ SAT ）
250
125
—
—
—
—
–0.75 —
–0.2
—
—
—
—
—
–0.75 —
–0.2
—
—
—
—
—
增益带宽乘积F
T
集电极输出
电容
COB
兆赫V
CE
= –12 V,
I
C
= -5毫安
pF
V
CB
= -25 V，I
E
= 0,
F = 1 MHz的
注意：
1. 2SB715 ， 2SB716和2SB716A是用h分组
FE1
如下。
D
E
400至800
—
2SB715 ， 2SB716 250至500
2SB716A
250至500
2
HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
