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    2SB647ACTZ 参数 Datasheet PDF下载

    2SB647ACTZ图片预览
    型号： 2SB647ACTZ
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    内容描述： [Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92MOD, 3 PIN]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 6 页 / 35 K
    品牌： HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SB647ACTZ的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SB647ACTZ的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SB647ACTZ的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SB647ACTZ的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SB647ACTZ的Datasheet PDF文件第6页  
    2SB647 ， 2SB647A
    饱和电压
    与集电极电流
    集电极到发射极饱和电压V
    CE （ SAT ）
    (V)
    基地发射极饱和电压V
    BE （ SAT ）
    (V)
    –0.6
    –0.5
    –0.4
    –0.3
    –0.2
    –0.1
    0
    –1.2
    –1.0
    I
    C
    = 10 I
    B
    脉冲
    –0.8 V
    BE （ SAT ）
    TA = -25
    °
    C
    25
    75
    –0.6
    –0.4
    –0.2
    0
    –1
    TA = 75℃
    25
    –25
    V
    CE （ SAT ）
    –3
    –10 –30 –100 –300 –1,000
    集电极电流I
    C
    （MA ）
    增益带宽积
    与集电极电流
    集电极输出电容C
    ob
    （PF ）
    240
    增益带宽乘积F
    T
    （兆赫）
    200
    160
    120
    80
    40
    0
    –10
    V
    CE
    = –5 V
    200
    100
    50
    集电极输出电容与
    集电极 - 基极电压
    F = 1 MHz的
    I
    E
    = 0
    20
    10
    5
    –30
    –100
    –300
    集电极电流I
    C
    （MA ）
    –1,000
    2
    –1
    –2
    –5 –10 –20
    –50 –100
    集电极基极电压V
    CB
    (V)
    4

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