2SB566 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SB566
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内容描述：	PNP硅三重扩散 [Silicon PNP Triple Diffused]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	6 页 / 36 K
品牌：	HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]

2SB566 （ K）， 2SB566A （ K）

最大集电极耗散曲线

区域安全操作

集电极耗散功率P

(W)

–10

–5 I

MAX（连续）

集电极电流I

(A)

–2

= 25°C

–1.0

–0.5

–0.2

–0.1

–1

（ -50 V， -0.22 A）

2SB566 ķ

（ -60 V， -0.15 A）

2SB566A ķ

–2

–5

–10

–20

–50 –100

集电极到发射极电压V

(V)

100

150

案例温度T

(°C)

典型的输出特性

–5

= 25°C

集电极电流I

(A)

–70

–60

–50

–40

–30

–20

= 10毫安

–2

–1.0

–0.5

典型的传输特性

= –4 V

集电极电流I

(A)

–4

–3

–2

–0.1

–0.05

–0.02

–1

–2

–4

= 0

–6

–8

–10

–0.01

0 –0.2 –0.4 –0.6 –0.8 –1.0 –1.2 –1.4

基极至发射极电压V

(V)

集电极到发射极电压V

(V)

–25

–0.2

= 75

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