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    2SB562BTZ 参数 Datasheet PDF下载

    2SB562BTZ图片预览
    型号： 2SB562BTZ
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92MOD, 3 PIN]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 6 页 / 33 K
    品牌： HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SB562BTZ的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SB562BTZ的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SB562BTZ的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SB562BTZ的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SB562BTZ的Datasheet PDF文件第6页  
    2SB562
    绝对最大额定值
    （ TA = 25°C ）
    项
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    集电极电流
    集电极电流峰值
    集电极耗散功率
    结温
    储存温度
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    i
    C（峰值）
    P
    C
    Tj
    TSTG
    评级
    –25
    –20
    –5
    –1.0
    –1.5
    0.9
    150
    -55到+150
    单位
    V
    V
    V
    A
    A
    W
    °C
    °C
    电气特性
    （ TA = 25°C ）
    项
    集电极基极击穿
    电压
    集电极到发射极击穿
    电压
    发射器基极击穿
    电压
    收藏家Cuto FF电流
    直流电流传输比
    集电极到发射极饱和
    电压
    基地发射极电压
    增益带宽积
    集电极输出电容
    注意：
    B
    85至170
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    h
    FE
    *
    1
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE
    f
    T
    COB
    民
    –25
    –20
    –5
    —
    85
    —
    —
    —
    —
    典型值
    —
    —
    —
    —
    —
    –0.2
    –0.8
    350
    38
    最大
    —
    —
    —
    –1.0
    240
    –0.5
    –1.0
    —
    —
    V
    V
    兆赫
    pF
    单位
    V
    V
    V
    µA
    测试条件
    I
    C
    = –10
    µA,
    I
    E
    = 0
    I
    C
    = -1毫安，R
    BE
    =
    ∞
    I
    E
    = –10
    µA,
    I
    C
    = 0
    V
    CB
    = -20 V，I
    E
    = 0
    V
    CE
    = –2 V,
    I
    C
    = -0.5 A（脉冲测试）
    I
    C
    = –0.8 A,
    I
    B
    = -0.08 A（脉冲测试）
    V
    CE
    = –2 V,
    I
    C
    = -0.5 A（脉冲测试）
    V
    CE
    = –2 V,
    I
    C
    = -0.5 A（脉冲测试）
    V
    CB
    = -10 V，I
    E
    = 0
    F = 1 MHz的
    1. 2SB562用h分组
    FE
    如下。
    C
    120至240
    2

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