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2SB561 参数 Datasheet PDF下载

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型号：	2SB561
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内容描述：	PNP硅外延 [Silicon PNP Epitaxial]
分类和应用：	晶体小信号双极晶体管
文件页数/大小：	6 页 / 33 K
品牌：	HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]

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2SB561

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

集电极耗散功率

结温

储存温度

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

i

C（峰值）

P

C

Tj

TSTG

评级

–25

–20

–5

–0.7

–1.0

0.5

150

-55到+150

单位

V

V

V

A

A

W

°C

°C

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

集电极基极击穿

电压

集电极到发射极击穿

电压

发射器基极击穿

电压

收藏家Cuto FF电流

直流电流传输比

集电极到发射极饱和

电压

基地发射极电压

增益带宽积

集电极输出电容

注意：

B

85至170

符号

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） EBO

I

CBO

h

FE

*

1

V

CE （ SAT ）

V

BE

f

T

COB

民

–25

–20

–5

—

85

—

—

—

—

典型值

—

—

—

—

—

–0.2

–0.75

350

20

最大

—

—

—

–1.0

240

–0.5

–1.0

—

—

V

V

兆赫

pF

单位

V

V

V

µA

测试条件

I

C

= –10

µA,

I

E

= 0

I

C

= -1毫安，R

BE

=

∞

I

E

= –10

µA,

I

C

= 0

V

CB

= -20 V，I

E

= 0

V

CE

= –1 V,

I

C

= -0.15 A（脉冲测试）

I

C

= -0.5 A，I

B

= –0.05 A

V

CE

= -1 V，I

C

= –0.15 A

V

CE

= -1 V，I

C

= –0.15 A

V

CB

= -10 V，I

E

= 0

F = 1 MHz的

1. 2SB561用h分组

FE

如下。

C

120至240

2

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