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2SB1494 参数 Datasheet PDF下载

2SB1494图片预览
型号: 2SB1494
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内容描述: PNP硅三重扩散 [Silicon PNP Triple Diffused]
分类和应用: 晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
文件页数/大小: 6 页 / 38 K
品牌: HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
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2SB1494
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
C至ê二极管的正向电流
注意:
1.价值在T
C
= 25°C.
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
C(峰值)
P
C
*
1
Tj
TSTG
I
D
*
1
评级
–120
–120
–7
–25
–35
120
150
-55到+150
25
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
A
电气特性
( TA = 25°C )
集电极基极击穿
电压
符号
V
( BR ) CBO
–120
–120
–120
–7
2000
500
典型值
最大
–10
–10
20000
–2.0
–3.5
–3.0
–4.5
V
V
单位
V
V
V
V
µA
测试条件
I
C
= -0.1毫安,我
E
= 0
I
C
= -25毫安,R
BE
=
I
C
= -200毫安,R
BE
=
I
E
= -50毫安,我
C
= 0
V
CB
= -100 V,I
E
= 0
V
CE
= -100 V ,R
BE
=
V
CE
= -4 V,I
C
= –12 A*
1
V
CE
= -4 V,I
C
= –25 A*
1
I
C
= -12 A,I
B
= -24毫安*
1
I
C
= -25 A,I
B
= -250毫安*
1
I
C
= -12 A,I
B
= -24毫安
I
C
= -25 A,I
B
= -250毫安*
1
集电极到发射极击穿V
( BR ) CEO
电压
集电极到发射极维持
电压
发射器基极击穿
电压
收藏家Cuto FF电流
V
CEO ( SUS )
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
首席执行官
直流电流传输比
h
FE1
h
FE2
集电极到发射极饱和
电压
基地发射极饱和
电压
注意:
1.脉冲测试。
V
CE(sat)1
V
CE(sat)2
V
BE(sat)1
V
BE(sat)2
2