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    2SB1409LB 参数 Datasheet PDF下载

    2SB1409LB图片预览
    型号： 2SB1409LB
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [Si, POWER TRANSISTOR]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 7 页 / 38 K
    品牌： HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SB1409LB的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SB1409LB的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SB1409LB的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SB1409LB的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SB1409LB的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SB1409LB的Datasheet PDF文件第7页  
    2SB1409(L)/(S)
    最大集电极耗散曲线
    30
    集电极耗散功率PC（ W）
    –10
    –3
    –1.0
    –0.3
    –0.1
    PW =
    i
    C（峰值）
    I
    C（最大值）
    DC
    Op
    安全工作区
    10毫秒
    20
    集电极电流I
    C
    (A)
    er
    ATI
    s
    1m
    10
    0
    50
    100
    案例温度T
    C
    (°C)
    150
    -0.03 TA = 25℃
    1次脉冲
    –0.01
    –3
    –10
    –30
    –100
    –300
    集电极到发射极电压V
    CE
    (V)
    °
    C
    25
    )
    典型的输出特性
    –1.0
    1,000
    P
    C
    = 18 W
    直流电流传输比H
    FE
    直流电流传输比主场迎战
    集电极电流
    on
    (T
    C
    =
    集电极电流I
    C
    (A)
    –0.8
    –0.6
    –5
    5
    –4.
    –4
    –3.5
    –3
    300
    –2.5
    –2
    –1.5
    = 1毫安
    100
    –0.4
    –0.2
    I
    B
    = 0
    0
    T
    C
    = 25°C
    30
    V
    CE
    = –5 V
    TA = 25°C
    –0.03
    –0.1
    –0.3
    集电极电流I
    C
    (A)
    –1.0
    –10
    –20
    –30
    –40
    –50
    集电极到发射极电压V
    CE
    (V)
    10
    –0.01
    3

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