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    2SB1407 参数 Datasheet PDF下载

    2SB1407图片预览
    型号： 2SB1407
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PNP硅外延 [Silicon PNP Epitaxial]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 6 页 / 33 K
    品牌： HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SB1407的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SB1407的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SB1407的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SB1407的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SB1407的Datasheet PDF文件第6页  
    2SB1407(L)/(S)
    最大集电极耗散曲线
    30
    集电极耗散功率PC（ W）
    –10
    i
    C（峰值）
    –3
    I
    C（最大值）
    安全工作区
    20
    集电极电流I
    C
    (A)
    PW =
    10毫秒
    s
    1m
    n
    TIO
    ERA
    Op
    °
    C)
    DC = 25
    (T
    C
    –1.0
    10
    –0.3
    TA = 25°C
    1次脉冲
    0
    50
    100
    案例温度T
    C
    (°C)
    150
    –0.1
    –1
    –3
    –10
    –30
    –100
    集电极到发射极电压V
    CE
    (V)
    典型的输出特性
    –2.0
    –16
    –14
    –12
    直流电流传输比主场迎战
    集电极电流
    1,000
    直流电流传输比H
    FE
    集电极电流I
    C
    (A)
    –1.6
    –10
    300
    –1.2
    –8
    –6
    100
    –0.8
    –4
    –0.4
    I
    B
    = 0
    0
    = 2毫安
    TA = 25°C
    30
    V
    CE
    = –2 V
    TA = 25°C
    –0.1
    –0.3
    –1.0
    集电极电流I
    C
    (A)
    –3.0
    –1
    –2
    –3
    –4
    –5
    集电极到发射极电压V
    CE
    (V)
    10
    –0.03
    3

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