2SB1399 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SB1399
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内容描述：	PNP硅三重扩散 [Silicon PNP Triple Diffused]
分类和应用：	晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
文件页数/大小：	6 页 / 39 K
品牌：	HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]

2SB1399

最大集电极耗散曲线

集电极耗散功率PC（ W）

–30 i

C（峰值）

安全工作区

集电极电流I

(A)

–10

–3

–1.0

–0.3

–0.1

C（最大值）

TA = 25°C

1次脉冲

100

案例温度T

(°C)

150

–0.03

–0.3 –1.0 –3

–10 –30 –100 –300

集电极到发射极电压V

(V)

典型的输出特性

–10

直流电流传输比主场迎战

集电极电流

10,000

直流电流传输比H

3,000

1,000

300

100

–0.1 –0.3 –1.0 –3

–10 –30

集电极电流I

(A)

= –3 V

= 25°C

集电极电流I

(A)

–8

–6

–4

–2.0

–1.8

–1.6

–1.4

–1.2

–1.0

–0.8

25°C

–25°C

–0.6

–2

-0.4毫安

= 0

–1.0

–2

–3

–4

–5

集电极到发射极电压V

(V)

–100

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