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2SB1072S 参数 Datasheet PDF下载

2SB1072S图片预览
型号: 2SB1072S
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内容描述: PNP硅三重扩散 [Silicon PNP Triple Diffused]
分类和应用: 晶体小信号双极晶体管放大器
文件页数/大小: 6 页 / 38 K
品牌: HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
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2SB1072 (L) 2SB1072 (S)
饱和电压与集电极电流
集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
基地发射极饱和电压V
BE ( SAT )
(V)
–100
I
C
/I
B
= 500
开关时间t(微秒)
–10
T
C
= –25°C
T
C
= 25°C
–1.0
T
C
= 75°C
V
BE ( SAT )
V
CE ( SAT )
30
10
3
1.0
t
f
0.3
0.1
t
on
开关时间与集电极电流
t
英镑
V
CC
= –30 V
I
C
= 500 I
B1
= –500 I
B2
–0.3
–1.0
–3
集电极电流I
C
(A)
–10
–0.1
–0.1
–0.3
–1.0
–3
集电极电流I
C
(A)
–10
0.03
–0.1
瞬态热阻
100
热阻
θ
J- ç
( ° C / W)
10
100毫秒,持续10秒。
1.0
1毫秒, 100毫秒
T
C
= 25°C
0.1
0.1
1.0
1.0
10
时间T
10 (s)
100( ms)的
4