2SB1059TZ 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SB1059TZ
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	[Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92]
分类和应用：	晶体小信号双极晶体管放大器
文件页数/大小：	4 页 / 20 K
品牌：	HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]

2SB1059

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

集电极耗散功率

结温

储存温度

符号

CBO

首席执行官

EBO

TSTG

评级

–70

–50

–6

–1

0.75

150

-55到+150

单位

°C

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

集电极基极击穿

电压

符号

（ BR ） CBO

民

–70

–50

–6

—

100

—

典型值

—

最大

—

–1

–0.2

320

–0.6

—

兆赫

单位

µA

测试条件

= –10

µA,

= 0

= -1毫安，R

∞

= –10

µA,

= 0

= -55 V，I

= 0

= -6 V，I

= 0

= -2 V，I

= –0.1 A

= -1时，我

= –0.1 A

= -2 V，I

= -10毫安

= -10 V，I

= 0中，f = 1 MHz的

集电极到发射极击穿V

（ BR ） CEO

电压

发射器基极击穿

电压

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

直流电流传输比

集电极到发射极饱和

电压

增益带宽积

集电极输出电容

注意：

100至200

160到320

（ BR ） EBO

CBO

EBO

CE （ SAT ）

COB

1. 2SB1059用h分组

如下。

见2SB740的特性曲线。

IC37:专业IC行业平台

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

深圳网络警察报警平台公共信息安全网络监察经营性网站备案信息不良信息举报中心工商网监电子标识全国公安机关备案