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2SB1048 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SB1048
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内容描述: PNP硅外延,达林顿 [Silicon PNP Epitaxial, Darlington]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 34 K
品牌: HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
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2SB1048
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
i
C(峰值)
*
1
P
C
*
2
Tj
TSTG
评级
–60
–60
–7
–1
–2
1
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
注意事项: 1, PW
10毫秒,占空比
20%
2.价值的氧化铝陶瓷板( 12.5
×
30
×
0.7 mm)
电气特性
( TA = 25°C )
集电极基极击穿
电压
集电极到发射极击穿
电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流传输比
集电极到发射极饱和
电压
基地发射极饱和
电压
注意事项: 1.脉冲测试
2.标识为“ BT ”
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
–60
–60
2000
典型值
最大
–10
–10
100000
–2.0
–2.0
V
V
单位
V
V
µA
µA
测试条件
I
C
= –10
µA,
I
E
= 0
I
C
= -1毫安,R
BE
=
V
CB
= -60 V,I
E
= 0
V
EB
= -7 V,I
E
= 0
V
CE
= -3 V,I
C
= -500毫安*
1
I
C
= -500毫安,我
B
= -1毫安*
1
I
C
= -500毫安,我
B
= -1毫安*
1
2