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2SB1048BT 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SB1048BT
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内容描述: [Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, UPAK-3]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 34 K
品牌: HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
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2SB1048
安全工作区
最大集电极耗散曲线
1.2
集电极耗散功率PC( W)
(在氧化铝陶瓷基板)
集电极电流I
C
(A)
–10
–3 i
C(峰值)
PW
1m
1
µ
s
0.8
–1.0
–0.3
–0.1
–0.03
–0.01
–3
=
10
s
ms
TA = 25°C
1次脉冲
0.4
0
50
100
150
环境温度Ta (C )
–10
–30
–100
–300
集电极到发射极电压V
CE
(V)
典型的输出特性
–1.0
P
C
= 1
直流电流传输比主场迎战
集电极电流
100,000
直流电流传输比H
FE
30,000
10,000
3,000
1,000
300
100
–30
TA = 75℃
25
–25
V
CE
= –3 V
脉冲
TA = 25°C
–1
m
.6
–0
m
集电极电流I
C
(A)
–0.8
–0
.2 m
W
–0.6
–0.1 m
–0.4
m
–0.04
–0.02 m
–0.2
–0.01 m
I
B
= 0 A
0
–2
–4
–6
–8
–10
集电极到发射极电压V
CE
(V)
–100
–300
–1,000
集电极电流I
C
(MA )
–3,000
3