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2SB1027EKUL 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SB1027EKUL
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内容描述: [Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, UPAK-3]
分类和应用: 晶体小信号双极晶体管
文件页数/大小: 6 页 / 33 K
品牌: HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
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2SB1027
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
i
C(峰值)
*
1
P
C
*
2
Tj
TSTG
评级
–180
–120
–5
–1.5
–3
1
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
注意事项: 1, PW
10毫秒,占空比
20%
2.价值的氧化铝陶瓷板( 12.5
×
20
×
0.7 mm)
电气特性
( TA = 25°C )
集电极基极击穿
电压
集电极到发射极击穿
电压
发射器基极击穿
电压
收藏家Cuto FF电流
直流电流传输比
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
h
FE1
*
1
h
FE2
集电极到发射极饱和
电压
基地发射极电压
注意:
标志
h
FE1
V
CE ( SAT )
V
BE
–180
–120
–5
60
30
典型值
最大
–10
320
–1.0
–0.9
V
V
单位
V
V
V
µA
测试条件
I
C
= -1毫安,我
E
= 0
I
C
= -10毫安,R
BE
=
I
E
= -1毫安,我
C
= 0
V
CB
= -160 V,I
E
= 0
V
CE
= -5 V,I
C
= –0.15 A,
脉冲
V
CE
= -5 V,I
C
= –0.5 A,
脉冲
I
C
= -0.5 A,I
B
= -50毫安,
脉冲
V
CE
= -5 V,I
C
= –0.15 A,
脉冲
1. 2SB1027用h分组
FE1
如下。
EH
60至120
EJ
100至200
EK
160到320
2