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2SB1025DKUL 参数 Datasheet PDF下载

2SB1025DKUL图片预览
型号: 2SB1025DKUL
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内容描述: [Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, UPAK-3]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 35 K
品牌: HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
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2SB1025
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
i
C(峰值)
*
1
P
C
*
2
Tj
TSTG
评级
–120
–80
–5
–1
–2
1
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
注意事项: 1, PW
10毫秒,占空比
20%
2.价值的氧化铝陶瓷板( 12.5
×
20
×
0.7 mm)
电气特性
( TA = 25°C )
集电极基极击穿
电压
集电极到发射极击穿
电压
发射器基极击穿
电压
收藏家Cuto FF电流
直流电流传输比
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
h
FE1
*
1
h
FE2
集电极到发射极饱和
电压
基地发射极电压
增益带宽积
集电极输出电容
注意:
标志
h
FE1
V
CE ( SAT )
V
BE
f
T
COB
–120
–80
–5
60
30
典型值
140
20
最大
–10
320
–1
–0.9
V
V
兆赫
pF
单位
V
V
V
µA
测试条件
I
C
= –10
µA,
I
E
= 0
I
C
= -1毫安,R
BE
=
I
E
= –10
µA,
I
C
= 0
V
CB
= -100 V,I
E
= 0
V
CE
= -5 V,I
C
= ± 150毫安
V
CE
= –5 V,
I
C
= -500毫安(脉冲测试)
I
C
= -500毫安,
I
B
= -50毫安(脉冲测试)
V
CE
= -5 V,I
C
= ± 150毫安
V
CE
= -5 V,I
C
= ± 150毫安
V
CB
= -10 V,I
E
= 0,
F = 1 MHz的
1. 2SB1025用h分组
FE1
如下。
DH
60至120
DJ
100至200
DK
160到320
2