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2SB1002CHUR 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SB1002CHUR
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分类和应用:
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品牌: HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
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2SB1002
最大集电极耗散曲线
1.2
集电极耗散功率P
C
(W)
(在氧化铝陶瓷基板)
典型的输出特性
–100
5
–0.4
集电极电流I
C
(MA )
–80
–0.4
–0.35
–0.3
0.8
–60
–0.25
–0.2
–40
–0.15
0.4
–0.1
–20
-0.05毫安
I
B
= 0
0
100
150
50
环境温度Ta (C )
0
–2
–4
–6
–8
–10
集电极到发射极电压V
CE
(V)
典型的输出特性
–2.0
0
–5
0
–4
–30
–20
典型的传输特性
–1,000
集电极电流I
C
(MA )
–300
–100
–30
–10
–3
–1
0
–0.6
–0.8
–1.0
–0.2
–0.4
基极至发射极电压V
BE
(V)
V
CE
= –2 V
集电极电流I
C
(A)
–1.6
–1.2
m
–10
–0.8
A
–0.4
I
B
= 0
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2.0
集电极到发射极电压V
CE
(V)
3