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    2SB1001 参数 Datasheet PDF下载

    2SB1001图片预览
    型号： 2SB1001
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PNP硅外延 [Silicon PNP Epitaxial]
    分类和应用： 晶体小信号双极晶体管
    文件页数/大小： 6 页 / 34 K
    品牌： HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SB1001的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SB1001的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SB1001的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SB1001的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SB1001的Datasheet PDF文件第6页  
    2SB1001
    最大集电极耗散曲线
    集电极耗散功率PC（ W）
    （在氧化铝陶瓷基板）
    1.2
    集电极电流I
    C
    （MA ）
    典型的输出特性（ 1）
    –100
    –0
    .35
    –0
    .3
    –0.
    25
    –80
    0.8
    –0.2
    –60
    –0.15
    –0.1
    –40
    0.4
    –20
    -0.05毫安
    I
    B
    = 0
    0
    50
    100
    150
    环境温度Ta （C ）
    0
    –2
    –4
    –6
    –8
    –10
    集电极到发射极电压V
    CE
    (V)
    典型的输出特性（ 2）
    –2.0
    –25
    –20
    集电极电流I
    C
    （MA ）
    –1
    5
    典型的传输特性
    –1,000
    –300
    –100
    TA = 75℃
    –30
    –10
    –3
    –1
    25
    –25
    V
    CE
    = –2 V
    脉冲
    集电极电流I
    C
    (A)
    –1.6
    –10
    –1.2
    ± 5毫安
    –0.8
    –0.4
    I
    B
    = 0
    0
    –0.4
    –0.8
    –1.2
    –1.6
    –2.0
    集电极到发射极电压V
    CE
    (V)
    0
    –0.2
    –0.4
    –0.6
    –0.8
    –1.0
    基极至发射极电压V
    BE
    (V)
    3

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