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2SB1001BJUR 参数 Datasheet PDF下载

2SB1001BJUR图片预览
型号: 2SB1001BJUR
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内容描述: [Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 16V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, UPAK-3]
分类和应用: 晶体小信号双极晶体管
文件页数/大小: 6 页 / 34 K
品牌: HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
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2SB1001
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
i
C(峰值)
*
1
P
C
*
2
Tj
TSTG
评级
–20
–16
–6
–2
–3
1
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
注意事项: 1, PW
10毫秒,占空比
20%
2.价值的氧化铝陶瓷板( 12.5
×
20
×
0.7 mm)
电气特性
( TA = 25°C )
集电极基极击穿
电压
集电极到发射极击穿
电压
发射器基极击穿
电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流传输比
集电极到发射极饱和
电压
基地发射极饱和
电压
增益带宽积
集电极输出电容
注意:
标志
h
FE
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
*
1
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
COB
–20
–16
–6
100
典型值
–0.15
–1.0
150
50
最大
–0.1
–0.1
320
–0.3
–1.2
V
V
兆赫
pF
单位
V
V
V
µA
µA
测试条件
I
C
= –10
µA,
I
E
= 0
I
C
= -1毫安,R
BE
=
I
E
= –10
µA,
I
C
= 0
V
CB
= -16 V,I
E
= 0
V
EB
= -5 V,I
C
= 0
V
CE
= –2 V,
I
C
= -0.1 A(脉冲测试)
I
C
= –1 A,
I
B
= -0.1 A(脉冲测试)
I
C
= –1 A,
I
B
= -0.1 A(脉冲测试)
V
CE
= –2 V,
I
C
= -10毫安
V
CB
= -10 V,I
E
= 0,
F = 1 MHz的
1. 2SB1001用h分组
FE
如下。
BH
100至200
BJ
160到320
2