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    2SB1001BJTR 参数 Datasheet PDF下载

    2SB1001BJTR图片预览
    型号： 2SB1001BJTR
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    内容描述： [Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 16V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, UPAK-3]
    分类和应用： 晶体小信号双极晶体管
    文件页数/大小： 6 页 / 34 K
    品牌： HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SB1001BJTR的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SB1001BJTR的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SB1001BJTR的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SB1001BJTR的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SB1001BJTR的Datasheet PDF文件第6页  
    2SB1001
    直流电流传输比主场迎战
    集电极电流
    集电极到发射极饱和电压
    V
    CE （SAT）
    (V)
    基地发射极饱和电压
    V
    BE （SAT）
    (V)
    10,000
    直流电流传输比H
    FE
    3,000
    1,000
    300
    100
    –25
    30
    10
    –1
    –3.0
    –1.0
    –0.3
    –0.1
    V
    CE （SAT）
    –0.03
    –0.01
    –0.003
    –3
    I
    C
    = 10 I
    B
    脉冲
    V
    BE （SAT）
    饱和电压与集电极电流
    V
    CE
    = –2 V
    脉冲
    25
    TA = 75℃
    –3
    –10 –30 –100 –300 –1,000
    集电极电流I
    C
    （MA ）
    –10 –30 –100 –300 –1,000–3,000
    集电极电流I
    C
    （MA ）
    集电极输出电容与
    集电极 - 基极电压
    集电极输出电容C
    ob
    （PF ）
    1,000
    F = 1 MHz的
    I
    E
    = 0
    300
    100
    30
    10
    –0.1
    –0.3
    –1.0
    –3
    –10
    集电极基极电压V
    CB
    (V)
    4

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