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2SA872A 参数 Datasheet PDF下载

2SA872A图片预览
型号: 2SA872A
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内容描述: PNP硅外延 [Silicon PNP Epitaxial]
分类和应用: 晶体小信号双极晶体管
文件页数/大小: 7 页 / 39 K
品牌: HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
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2SA872 , 2SA872A
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
Tj
TSTG
2SA872
–90
–90
–5
–50
300
150
-55到+150
2SA872A
–120
–120
–5
–50
300
150
-50至+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
电气特性
( TA = 25°C )
2SA872
集电极到发射极
击穿电压
收藏家Cuto FF电流
符号最小值
V
( BR ) CEO
I
CBO
–90
直流电流tarnsfer比H
FE1
*
1
h
FE2
基极至发射极电压V
BE
集电极到发射极
饱和电压
V
CE ( SAT )
250
160
典型值
120
1.8
最大
–0.5
800
2SA872A
–120
250
160
典型值
120
1.8
最大
–0.5
800
–0.75 V
–0.5
5.0
V
兆赫
pF
dB
单位
V
µA
µA
测试条件
I
C
= -1毫安,R
BE
=
V
CB
= -75 V,I
E
= 0
V
CE
= -100 V,I
E
= 0
V
CE
= –12 V,
I
C
= -2毫安
V
CE
= –12 V,
I
C
= -0.1毫安
V
CE
= –12 V,
I
C
= -2毫安
I
C
= -10毫安,
I
B
= -1毫安
V
CE
= –12 V,
I
C
= -2毫安
V
CB
= -25 V,I
E
= 0,
F = 1 MHz的
V
CE
= -6 V , F = 10赫兹
I
C
= –50
µA
R
g
= 50 kΩ
F = 1千赫
–0.75 —
–0.5
5.0
增益带宽乘积F
T
集电极输出
电容
噪声系数
COB
NF
注意:
D
250至500
E
400至800
1.5
1.5
dB
1. 2SA872 / A为h分组
FE1
如下。
2