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2SA844-C 参数 Datasheet PDF下载

2SA844-C图片预览
型号: 2SA844-C
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内容描述: [SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92]
分类和应用: 晶体小信号双极晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 26 K
品牌: HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
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2SA844
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
发射极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
E
P
C
Tj
TSTG
评级
–55
–55
–5
–100
100
300
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
电气特性
( TA = 25°C )
集电极基极击穿
电压
符号
V
( BR ) CBO
–55
–55
–5
160
典型值
–0.1
–0.66
200
2.0
最大
–100
–50
800
–0.5
–0.75
V
V
兆赫
pF
单位
V
V
V
nA
nA
测试条件
I
C
= –10
µA,
I
E
= 0
I
C
= -1毫安,R
BE
=
I
E
= –10
µA,
I
C
= 0
V
CB
= -18 V,I
E
= 0
V
EB
= -2 V,I
C
= 0
V
CE
= -12 V,I
C
= -2毫安
I
C
= -10毫安,我
B
= -1毫安
V
CE
= -12 V,I
C
= -2毫安
V
CE
= -12 V,I
E
= -2毫安
V
CB
= -10 V,I
E
= 0中,f = 1 MHz的
集电极到发射极击穿V
( BR ) CEO
电压
发射器基极击穿
电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流传输比
集电极到发射极饱和
电压
基地发射极电压
增益带宽积
集电极输出电容
注意:
C
160到320
D
250至500
E
400至800
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
*
1
V
CE ( SAT )
V
BE
f
T
COB
1. 2SA844用h分组
FE
如下。
见2SA836的特性曲线。
2