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2SA836DRR 参数 Datasheet PDF下载

2SA836DRR图片预览
型号: 2SA836DRR
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内容描述: [Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, TO-92(1), 3 PIN]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 35 K
品牌: HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
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2SA836
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
发射极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
E
P
C
Tj
TSTG
评级
–55
–55
–5
–100
100
200
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
电气特性
( TA = 25°C )
集电极基极击穿
电压
符号
V
( BR ) CBO
–55
–55
–5
160
注意:
C
160到320
典型值
–0.1
–0.66
200
2.0
1
0.5
最大
–100
–50
500
–0.5
–0.75
5
1
V
V
兆赫
pF
dB
dB
单位
V
V
V
nA
nA
测试条件
I
C
= –10
µA,
I
E
= 0
I
C
= -1毫安,R
BE
=
I
E
= –10
µA,
I
C
= 0
V
CB
= -18 V,I
E
= 0
V
EB
= -2 V,I
C
= 0
V
CE
= -12 V,I
C
= -2毫安
I
C
= -10毫安,我
B
= -1毫安
V
CE
= -12 V,I
C
= -2毫安
V
CE
= -12 V,I
E
= -2毫安
V
CB
= -10 V,I
E
= 0中,f = 1MHz的
V
CE
= –6 V,
I
C
= -0.1mA ,
R
g
= 10 kΩ
F = 10赫兹
F = 1千赫
集电极到发射极击穿V
( BR ) CEO
电压
发射器基极击穿
电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流传输比
集电极到发射极饱和
电压
基地发射极电压
增益带宽积
集电极输出电容
噪音figuer
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
*
1
V
CE ( SAT )
V
BE
f
T
COB
NF
1. 2SA836用h分组
FE
如下。
D
250至500
2