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    2SA1468INBUL 参数 Datasheet PDF下载

    2SA1468INBUL图片预览
    型号： 2SA1468INBUL
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    内容描述： [Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 180V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MPAK-3]
    分类和应用： 晶体晶体管光电二极管放大器
    文件页数/大小： 6 页 / 33 K
    品牌： HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SA1468INBUL的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SA1468INBUL的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SA1468INBUL的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SA1468INBUL的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SA1468INBUL的Datasheet PDF文件第6页  
    2SA1468
    绝对最大额定值
    （ TA = 25°C ）
    项
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    集电极电流
    集电极耗散功率
    结温
    储存温度
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    Tj
    TSTG
    评级
    –180
    –180
    –5
    –100
    150
    150
    -55到+150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mW
    °C
    °C
    电气特性
    （ TA = 25°C ）
    项
    集电极基极击穿
    电压
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    民
    –180
    –180
    –5
    100
    —
    —
    —
    —
    典型值
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    200
    3.5
    最大
    —
    —
    —
    320
    –0.5
    –1.0
    —
    —
    V
    V
    兆赫
    pF
    单位
    V
    V
    V
    测试条件
    I
    C
    = –10
    µA,
    I
    E
    = 0
    I
    C
    = -0.5毫安，R
    BE
    =
    ∞
    I
    E
    = –10
    µA,
    I
    C
    = 0
    V
    CE
    = -12 V，I
    C
    = -2毫安*
    2
    I
    C
    = -30毫安，我
    B
    = -3毫安*
    2
    V
    CE
    = -12 V，I
    C
    = -2毫安
    V
    CE
    = -12 V，I
    C
    = -10毫安
    V
    CB
    = -10 V，I
    E
    = 0中，f = 1 MHz的
    集电极到发射极击穿V
    （ BR ） CEO
    电压
    发射器基极击穿
    电压
    直流电流传输比
    集电极到发射极饱和
    电压
    基地发射极电压
    增益带宽积
    集电极输出电容
    V
    （ BR ） EBO
    h
    FE
    *
    1
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE
    f
    T
    COB
    注：1. 2SA1468为h分组
    FE
    如下。
    2.脉冲测试
    GRADE
    标志
    h
    FE
    B
    INB
    100至200
    C
    INC。
    160到320
    2

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