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2SA1390-B 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SA1390-B
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内容描述: [暂无描述]
分类和应用: 晶体晶体管放大器
文件页数/大小: 5 页 / 26 K
品牌: HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
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2SA1390
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
Tj
TSTG
评级
–35
–35
–4
–500
300
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
电气特性
( TA = 25°C )
集电极基极击穿
电压
符号
V
( BR ) CBO
–35
–35
–4
60
10
典型值
–0.2
–0.64
最大
–0.5
–0.6
320
V
单位
V
V
V
µA
V
测试条件
I
C
= –10
µA,
I
E
= 0
I
C
= -1毫安,R
BE
=
I
E
= –10
µA,
I
C
= 0
V
CB
= -20 V,I
E
= 0
I
C
= -150毫安,我
B
= -15毫安*
2
V
CE
= -3 V,I
C
= -10毫安
V
CE
= -3 V,I
C
= -500毫安*
2
V
CE
= -3 V,I
C
= -10毫安
集电极到发射极击穿V
( BR ) CEO
电压
发射器基极击穿
电压
收藏家Cuto FF电流
集电极到发射极饱和
电压
直流电流传输比
直流电流传输比
基地发射极电压
V
( BR ) EBO
I
CBO
V
CE ( SAT )
h
FE1
*
1
h
FE2
V
BE
注:1. 2SA1390为h分组
FE1
如下。
2.脉冲测试
B
60至120
C
100至200
D
160到320
见2SA673的特性曲线。
2