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2SA1350-D 参数 Datasheet PDF下载

2SA1350-D图片预览

型号：	2SA1350-D
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	[SMALL SIGNAL TRANSISTOR]
分类和应用：
文件页数/大小：	5 页 / 27 K
品牌：	HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]

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2SA1350

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

集电极耗散功率

结温

储存温度

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

P

C

Tj

TSTG

评级

–40

–30

–5

–100

300

150

-55到+150

单位

V

V

V

mA

mW

°C

°C

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

集电极基极击穿

电压

符号

V

（ BR ） CBO

民

–40

–30

–5

—

—

100

—

—

—

—

—

典型值

—

—

—

—

—

—

—

—

200

—

1.0

最大

—

—

—

–0.5

–0.5

500

–0.75

–0.2

—

4.5

5.0

V

V

兆赫

pF

dB

单位

V

V

V

µA

µA

测试条件

I

C

= –10

µA,

I

E

= 0

I

C

= -1毫安，R

BE

=

∞

I

E

= –10

µA,

I

C

= 0

V

CB

= -18 V，I

E

= 0

V

EB

= -2 V，I

C

= 0

V

CE

= -12 V，I

C

= -2毫安

V

CE

= -12 V，I

C

= -2毫安

I

C

= -10毫安，我

B

= -1毫安

V

CE

= -12 V，I

C

= -2毫安

V

CB

= -10 V，I

E

= 0中，f = 1 MHz的

V

CE

= -6 V，I

C

= -0.1毫安

R

g

= 1千欧中，f = 1千赫

集电极到发射极击穿V

（ BR ） CEO

电压

发射器基极击穿

电压

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

直流电流传输比

基地发射极电压

集电极到发射极饱和

电压

增益带宽积

集电极输出电容

噪声系数

注意：

B

100至200

V

（ BR ） EBO

I

CBO

I

EBO

h

FE

*

1

V

BE

V

CE （ SAT ）

f

T

COB

NF

1. 2SA1350用h分组

FE

如下。

C

160到320

D

250至500

见2SA1031的特性曲线。

2

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