2SA1188DRF 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SA1188DRF
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内容描述：	[Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 90V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, TO-92(1), 3 PIN]
分类和应用：
文件页数/大小：	5 页 / 27 K
品牌：	HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]

2SA1188 ， 2SA1189

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

发射极电流

集电极耗散功率

结温

储存温度

符号

CBO

首席执行官

EBO

TSTG

2SA1188

–90

–5

–100

100

400

150

-55到+150

2SA1189

–120

–5

–100

100

400

150

-55到+150

单位

°C

电气特性

（ TA = 25°C ）

2SA1188

项

收藏家基地

击穿电压

集电极到发射极

击穿电压

发射器基

击穿电压

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

直流电流转接率

集电极到发射极

饱和电压

基极到发射极

饱和电压

符号

（ BR ） CBO

（ BR ） CEO

（ BR ） EBO

CBO

EBO

CE （ SAT ）

BE （ SAT ）

民

–90

–5

—

250

—

典型值

—

最大

—

–0.1

800

2SA1189

民

典型值

最大

—

–0.1

800

单位

µA

测试条件

= –10

µA,

= 0

= -1毫安，R

∞

= –10

µA,

= 0

= -70 V，I

= 0

= -2 V，I

= 0

= –12 V,

= -2毫安*

= -10毫安，

= -1毫安*

–120 —

–5

—

250

—

–0.05 –0.15 —

–0.7

130

3.2

–1.0

—

–0.05 –0.15 V

–0.7

130

3.2

–1.0

—

兆赫

增益带宽乘积F

集电极输出

电容

COB

= –6 V,

= -10毫安

= -10 V，I

= 0,

F = 1 MHz的

注：1. 2SA1188与2SA1189都用h分组

如下。

2.脉冲测试

250至500

400至800

见2SA1190和2SA1191的特性曲线。

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