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2SA1122CDUL 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SA1122CDUL
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内容描述: [暂无描述]
分类和应用: 晶体小信号双极晶体管光电二极管
文件页数/大小: 5 页 / 27 K
品牌: HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
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2SA1122
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
Tj
TSTG
评级
–55
–55
–5
–100
150
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
电气特性
( TA = 25°C )
集电极基极击穿
电压
符号
V
( BR ) CBO
–55
–55
–5
160
D
CE
400至800
典型值
最大
–0.5
–0.5
800
–0.5
–0.75
V
V
单位
V
V
V
µA
µA
测试条件
I
C
= –10
µA,
I
E
= 0
I
C
= -1毫安,R
BE
=
I
E
= –10
µA,
I
C
= 0
V
CB
= -30 V,I
E
= 0
V
EB
= -2 V,I
C
= 0
V
CE
= -12 V,I
C
= -2毫安
I
C
= -10毫安,我
B
= -1毫安
V
CE
= -12 V,I
C
= -2毫安
集电极到发射极击穿V
( BR ) CEO
电压
发射器基极击穿
电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流传输比
集电极到发射极饱和
电压
基地发射极电压
注意:
GRADE
标志
h
FE
B
CC
160到320
C
CD
250至500
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
*
1
V
CE ( SAT )
V
BE
1. 2SA1122用h分组
FE
如下。
见2SA836的特性曲线。
2