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    2SA1121SBUR 参数 Datasheet PDF下载

    2SA1121SBUR图片预览
    型号： 2SA1121SBUR
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    内容描述： [Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MPAK-3]
    分类和应用： 晶体小信号双极晶体管光电二极管
    文件页数/大小： 5 页 / 27 K
    品牌： HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SA1121SBUR的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SA1121SBUR的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SA1121SBUR的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SA1121SBUR的Datasheet PDF文件第5页  
    2SA1121
    绝对最大额定值
    （ TA = 25°C ）
    项
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    集电极电流
    集电极耗散功率
    结温
    储存温度
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    Tj
    TSTG
    评级
    –35
    –35
    –4
    –500
    150
    150
    -55到+150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mW
    °C
    °C
    电气特性
    （ TA = 25°C ）
    项
    集电极基极击穿
    电压
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    民
    –35
    –35
    –4
    —
    —
    60
    10
    —
    D
    SD
    160到320
    典型值
    —
    —
    —
    —
    –0.2
    —
    —
    –0.64
    最大
    —
    —
    —
    –0.5
    –0.6
    320
    —
    —
    V
    单位
    V
    V
    V
    µA
    V
    测试条件
    I
    C
    = –10
    µA,
    I
    E
    = 0
    I
    C
    = -1毫安，R
    BE
    =
    ∞
    I
    E
    = –10
    µA,
    I
    C
    = 0
    V
    CB
    = -20 V，I
    E
    = 0
    I
    C
    = -150毫安，我
    B
    = -15毫安
    V
    CE
    = -3 V，I
    C
    = -10毫安
    V
    CE
    = -3 V，I
    C
    = -500毫安
    （脉冲测试）
    V
    CE
    = -3 V，I
    C
    = -10毫安
    集电极到发射极击穿V
    （ BR ） CEO
    电压
    发射器基极击穿
    电压
    收藏家Cuto FF电流
    集电极到发射极饱和
    电压
    直流电流传输比
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    V
    CE （ SAT ）
    h
    FE
    *
    1
    h
    FE
    基地发射极电压
    注意：
    GRADE
    标志
    h
    FE
    B
    SB
    60至120
    C
    SC
    100至200
    V
    BE
    1. 2SA1121用h分组
    FE
    如下。
    见2SA673的特性曲线。
    2

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