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2SA1083DRR 参数 Datasheet PDF下载

2SA1083DRR图片预览
型号: 2SA1083DRR
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内容描述: [Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, TO-92(1), 3 PIN]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 44 K
品牌: HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
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2SA1083 , 2SA1084 , 2SA1085
电气特性
( TA = 25°C )
2SA1083
收藏家基地
击穿电压
集电极到发射极
击穿电压
发射器基
击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
符号最小值
V
( BR ) CBO
–60
V
( BR ) CEO
–60
V
( BR ) EBO
–5
I
CBO
I
EBO
250
典型值
最大
–0.1
–0.1
800
–0.2
2SA1084
–90
–90
–5
250
TYP MAX
–0.1
–0.1
800
–0.2
2SA1085
TYP MAX
–0.1
–0.1
800
–0.2
V
V
单位测试条件
V
V
V
µA
µA
I
C
= –10
µA,
I
E
= 0
I
C
= -1毫安,
R
BE
=
I
E
= –10
µA,
I
C
= 0
V
CB
= -50 V,I
E
= 0
V
EB
= -2 V,I
C
= 0
V
CE
= –12 V,
I
C
= -2毫安
I
C
= -10毫安,
I
B
= -1毫安
V
CE
= –12 V,
I
C
= -2毫安
–120 —
–120 —
–5
250
直流电流传输比H
FE
*
1
集电极到发射极
饱和电压
基地发射极电压
V
CE ( SAT )
V
BE
–0.6 —
90
3.5
0.5
–0.6 —
90
3.5
0.5
–0.6 —
90
3.5
0.5
增益带宽乘积F
T
集电极输出
电容
噪声电压下文称
TO INPUT
COB
e
n
兆赫V
CE
= –12 V,
I
C
= -2毫安
pF
内华达州/
√Hz的
V
CB
= -10 V,I
E
= 0,
F = 1 MHz的
V
CE
= –6V,
I
C
= -10毫安,
F = 1千赫
R
g
= 0,
∆f
= 1Hz的
注意:
D
1. 2SA1083 , 2SA1084与2SA1085是用h分组
FE
如下。
E
400至800
250至500
3