2SA1025 ， 2SA1081 ， 2SA1082
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
发射极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
E
P
C
Tj
TSTG
2SA1025
–60
–60
–5
–100
100
400
150
-55到+150
2SA1081
–90
–90
–5
–100
100
400
150
-55到+150
2SA1082
–120
–120
–5
–100
100
400
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
电气特性
（ TA = 25°C ）
2SA1025
项
收藏家基地
击穿电压
集电极到发射极
击穿电压
发射器基
击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
符号最小值
V
（ BR ） CBO
–60
V
（ BR ） CEO
–60
V
（ BR ） EBO
–5
I
CBO
I
EBO
—
—
250
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
—
—
最大
—
—
—
–0.1
–0.1
800
–0.2
2SA1081
民
–90
–90
–5
—
—
250
—
—
—
—
TYP MAX
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
–0.1
–0.1
800
–0.2
2SA1082
民
TYP MAX
—
—
—
–0.1
–0.1
800
–0.2
V
V
单位测试条件
V
V
µA
µA
I
C
= –10
µA,
I
E
= 0
I
C
= -1毫安，
R
BE
=
∞
I
E
= –10
µA,
I
C
= 0
V
CB
= -50 V，I
E
= 0
V
EB
= -2 V，I
C
= 0
V
CE
= –12 V,
I
C
= -2毫安
I
C
= -10毫安，
I
B
= -1毫安
V
CE
= –12 V,
I
C
= -2毫安
–120 —
–120 —
–5
—
—
250
—
—
—
—
—
—
—
—
—
直流电流传输比H
FE
*
1
集电极到发射极
饱和电压
基地发射极电压
V
CE （ SAT ）
V
BE
–0.6 —
90
3.5
—
—
–0.6 —
90
3.5
—
—
–0.6 —
90
3.5
—
—
增益带宽乘积F
T
集电极输出
电容
COB
兆赫V
CE
= –12 V,
I
C
= -2毫安
pF
V
CB
= -10 V，I
E
= 0,
F = 1 MHz的
注意：
D
1. 2SA1025 ， 2SA1081与2SA1082是用h分组
FE
如下。
E
400至800
250至500
见2SA1083的特性曲线。
2
HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
