欢迎访问ic37.com |

会员登录免费注册

会员中心

企业资讯人才招聘

电子百科

电子百科

Datasheet下载 IC品牌缩略语技术文章 IC型号

产品导航

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

搜索

发布采购

2SA1052 参数 Datasheet PDF下载

2SA1052图片预览

型号：	2SA1052
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	PNP硅外延 [Silicon PNP Epitaxial]
分类和应用：
文件页数/大小：	5 页 / 27 K
品牌：	HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]

浏览型号2SA1052的Datasheet PDF文件第1页

浏览型号2SA1052的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号2SA1052的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号2SA1052的Datasheet PDF文件第5页

2SA1052

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

发射极电流

集电极耗散功率

结温

储存温度

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

E

P

C

Tj

TSTG

评级

–30

–30

–5

–100

100

150

150

-55到+150

单位

V

V

V

mA

mA

mW

°C

°C

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

集电极基极击穿

电压

符号

V

（ BR ） CBO

民

–30

–30

–5

—

—

100

—

—

D

MD

250至500

典型值

—

—

—

—

—

—

—

—

最大

—

—

—

–0.5

–0.5

500

–0.2

–0.75

V

V

单位

V

V

V

µA

µA

测试条件

I

C

= –10

µA,

I

E

= 0

I

C

= -1毫安，R

BE

=

∞

I

E

= –10

µA,

I

C

= 0

V

CB

= -20 V，I

E

= 0

V

EB

= -2 V，I

C

= 0

V

CE

= -12 V，I

C

= -2毫安

I

C

= -10毫安，我

B

= -1毫安

V

CE

= -12 V，I

C

= -2毫安

集电极到发射极击穿V

（ BR ） CEO

电压

发射器基极击穿

电压

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

直流电流传输比

集电极到发射极饱和

电压

基地发射极电压

注意：

GRADE

标志

h

FE

B

MB

100至200

C

MC

160到320

V

（ BR ） EBO

I

CBO

I

EBO

h

FE

*

1

V

CE （ SAT ）

V

BE

1. 2SA1052用h分组

FE

如下。

见2SA1031的特性曲线。

2

IC37:专业IC行业平台

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

深圳网络警察报警平台公共信息安全网络监察经营性网站备案信息不良信息举报中心工商网监电子标识全国公安机关备案

服务电话： 0755-32882616 0755-32882606 0755-32882608 0755-32882607 值班和投诉电话：13715251531 ©2004-2024 IC37网版权所有：ic37.com 版权申明公网安备44030402000606 粤ICP备13051289号-6