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2SA1032TZ 参数 Datasheet PDF下载

2SA1032TZ图片预览
型号: 2SA1032TZ
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内容描述: [Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92]
分类和应用: 晶体晶体管放大器
文件页数/大小: 7 页 / 33 K
品牌: HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
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2SA1031 , 2SA1032
电气特性
( TA = 25°C )
2SA1031
收藏家基地
击穿电压
集电极到发射极
击穿电压
发射器基
击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流转接率
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
*
1
–30
–30
–5
100
200
典型值
280
3.3
最大
–0.5
–0.5
500
–0.8
–0.2
4.0
5
2SA1032
–55
–50
–5
100
200
典型值
280
3.3
最大
–0.5
–0.5
320
–0.8
–0.2
4.0
5
V
V
兆赫
pF
dB
单位
V
V
V
µA
µA
测试条件
I
C
= –10
µA,
I
E
= 0
I
C
= -1毫安,R
BE
=
I
E
= –10
µA,
I
C
= 0
V
CB
= -18 V,I
E
= 0
V
EB
= -2 V,I
C
= 0
V
CE
= –12 V,
I
C
= -2毫安
V
CE
= –12 V,
I
C
= -2毫安
I
C
= -10毫安,
I
B
= -1毫安
V
CE
= –12 V,
I
C
= -2毫安
V
CB
= -10 V,I
E
= 0,
F = 1 MHz的
V
CE
= –6 V,
I
C
= -0.1毫安,
R
g
= 500
Ω,
F = 120赫兹
基极至发射极电压V
BE
集电极到发射极
饱和电压
V
CE ( SAT )
增益带宽乘积F
T
集电极输出
电容
噪声系数
COB
NF
注意:
1. 2SA1031与2SA1032是用h分组
FE
如下。
B
C
160到320
160到320
D
250至500
100至200
100至200
2SA1031
2SA1032
3