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1SS86TDX 参数 Datasheet PDF下载

1SS86TDX图片预览
型号: 1SS86TDX
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内容描述: [Mixer Diode, Ultra High Frequency, Silicon, DO-35]
分类和应用: 肖特基二极管微波混频二极管电视
文件页数/大小: 7 页 / 74 K
品牌: HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
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1SS86
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
反向电压
平均正向电流
功耗
结温
储存温度
符号
V
R
I
O
Pd
Tj
TSTG
价值
3
30
150
100
−55
+100
单位
V
mA
mW
°C
°C
电气特性
( TA = 25°C )
正向电流
反向电压
反向电流
电容
防静电能力*
符号
I
F
V
R
I
R
C
8
3
30
典型值
最大
50
0.85
单位
mA
V
µA
pF
V
测试条件
V
F
= 0.5 V
I
R
= 1毫安
V
R
= 0.5 V
V
R
= 0.5 V , F = 1兆赫
C = 200 pF的, R = 0
Ω,
正向和
反向1脉冲。
注:失败的标准;我
R
& GT ;
50
µA
在V
R
= 0.5 V
Rev.2号文件, 2000年10月, 5个2页