1SS82RH 参数 Datasheet PDF下载

型号：	1SS82RH
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内容描述：	[Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-35]
分类和应用：	整流二极管开关高压
文件页数/大小：	6 页 / 29 K
品牌：	HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]

1SS82

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

峰值反向电压

反向电压

最大正向电流

非重复峰值正向浪涌电流

平均正向电流

功耗

结温

储存温度

符号

FSM

TSTG

价值

250

200

625

200

400

175

-65到+175

单位

°C

注：超出峰值反向电压1.反向电压可能会下降电学特性。

2.在1秒正向浪涌电流。

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

正向电压

反向电流

符号

电容

反向恢复时间

民

—

典型值

—

1.5

—

最大

1.0

0.2

100

—

100

单位

µA

测试条件

= 100毫安

= 200V

= 250V

= 0V ， F = 1MHz的

= I

= 30mA时IRR = 3毫安，R

= 100Ω

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